১০. সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স

ক) লজিক গেট হলো এক ধরনের ইলেকট্রনিক্স বর্তনী যার দ্বারা যৌক্তিক সিদ্ধান্ত গঠন করা যায় এবং ইনপুট ও আউটপুটের মধ্যে যৌক্তিক সম্পর্ক স্থাপন করা হয়।

খ) পরিবাহী ও ডায়োডের ক্ষেত্রে I - V লেখচিত্রের ধরন নিম্নরূপ: I ↑ V → I ↑ V → পরিবাহীর ক্ষেত্রে V বাড়ালে I বাড়বে, V কমালে I কমবে। অন্য দিকে ডায়োডের ক্ষেত্রে একটা নির্দিষ্ট ভোল্টেজে না যাওয়া পর্যন্ত তড়িৎ প্রবাহিত হবে না এবং ঐ নির্দিষ্ট ভোল্টেজের পর I বনাম V লেখাটি মসক বেশি খাড়া হয়ে যায় অর্থাৎ V এর সাপেক্ষে I এর পরিবর্তন অনেক বেশি হয়।

গ) উদ্দীপকের 1 নং চিত্রে, বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন, ΔV = 0.4 volt − 0.3 volt = 0.1 volt এবং সংশ্লিষ্ট তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন, ΔI = 2mA − 1mA = 10⁻³ A বের করতে হবে, গতীয় রোধ, R = ? আমরা জানি, R = ΔV/ΔI = (0.1 াড়ষঃ)/(10⁻³ A) ⁻ = 100Ω (Ans.)

ঘ) 1 নং বর্তনীর 0 volt হতে 0.3 volt বিভব পার্থক্যের পরিবর্তনের জন্য তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন, ΔI = 1 mA ∴ এ ব্যবধানে 1 নং বর্তনীর গড় রোধ, R = ΔV/ΔI = (0.3 াড়ষঃ − 0 াড়ষঃ)/(10⁻³A) ⁻ = 300 Ω অপরদিকে ২নং বর্তনীতে বিভব পার্থক্য 0 volt হতে পরিবর্তন করে 0.3 volt করা হলে (অর্থাৎ 1 নং বর্তনীর ন্যায় বিভব পার্থক্যের একই পরিবর্তনের জন্য) তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন 1 mA অপেক্ষা কম। ২নং লেখচিত্র হতে পাই, তড়িৎপ্রবাহের উক্ত পরিবর্তনের সম্ভাব্য মান = 0. 5mA ∴1 নং বর্তনীতে বিবেচ্য ব্যবধানে ২নং বর্তনীর গড় রোধ, R′ = ΔV/ΔI = (0.3 াড়ষঃ − 0 াড়ষঃ)/(0.5 × 10⁻³ A) ⁻ = 600 Ω ∴ 1 নং বর্তনীর তড়িৎ পরিবাহিতা, S = 1/R = 1/300Ω = 3.33 × 10⁻³ s এবং ২নং বর্তনীর তড়িৎ পরিবাহিতা, S′ = 1/(R′) = 1/600Ω = 1.667 × 10⁻³ s লক্ষ্য করি, 3.33 × 10⁻³ S > 1.667 × 10⁻³ s ∴1 নং বর্তনীর তড়িৎ পরিবাহিতা 2 নং বর্তনীর তুলনায় বেশি।

উত্তর: পরিবাহিতা বৃদ্ধির জন্য বিশুদ্ধ সেমিকন্ডাক্টরে খুব সামান্য পরিমাণ ত্রি বা পঞ্চযোজী মৌল মেশানোকে ডোপিং বলে।

উত্তর: লজিক গেট হলো এক ধরনের ইলেকট্রনিক্স বর্তনী যার দ্বারা যৌক্তিক সিদ্ধান্ত গঠন করা যায় এবং ইনপুট ও আউটপুটের মধ্যে যৌক্তিক সম্পর্ক স্থাপন করা হয়।